Marketwire 2011年2月24日安大略省渥太華消息電/明通新聞專線/--

　　MOSAID Technologies公司(多倫多證券交易所股票代碼：MSD)今天發布了HLNAND(TM)2，其創新性HLNAND(HyperLink NAND)閃存架構和接口取得了關鍵突破。HLNAND2針對海量存儲應用，包括企業數據中心和高性能計算應用進行了優化，是第一個可使設計人員能夠輕松獲得每秒GB性能和TB級存儲容量固態硬盤(SSD)的NAND閃存接口。

　　MOSAID的HLNAND(HyperLink NAND)閃存規格2采用了高速、點對點環形拓撲結構，將固態硬盤數據傳輸速率提高到每秒數GB范圍。HLNAND2支持每通道最高800MB/秒的原始數據速率和基于DuplexRW(TM)的每通道1600MB/秒數據傳輸速率，只需要一個內存通道就可使主機接口傳輸速率超過1GB/秒。相比之下，基于并行總線結構的NAND閃存接口傳輸速率最高為200MB/秒，而且只有少數設備每個通道都支持。

　　HLNAND的點對點接口降低了負荷，創造了非常干凈的產生信號的環境，使開發者能開發有TB級容量的固態硬盤，同時不會降低數據速率。HLNAND的環形拓撲結構還消除了內核端接功耗高這一困擾各種并行總線閃存的問題。

　　MOSAID研發副總裁Jin-Ki Kim表示：“固態硬盤利用HLNAND2接口架構，可實現無與倫比的性能和靈活性。我們預計在2011年晚些時候發布HLNAND2工程樣品，使HLNAND2進入到大量的要求更高性能和可擴展性的閃存應用設計中。”

　　解決互連挑戰

　　人們對將各種架構的存儲系統與計算基礎設施相連接的更高速系統互連的需求日益上升。由于基于并行總線結構的NAND閃存接口的嚴重局限，固態硬盤必須設計有大量的通道，在許多情況下，通過多個閃存控制器和接口芯片進行分配。例如在常常使用多路PCIe接口連接存儲硬件的企業系統中，固態硬盤需要多達25至50個通道，連接到兩個或更多SATA閃存控制器、額外的RAID控制器以及PCIe主橋，提供系統互連需要的吞吐率。

　　由于互連速度提高，MOSAID的HLNAND閃存接口降低了SSD設計的復雜性，同時提高了容量。憑借高擴展性以及與高速系統互連匹配的操作速度，HLNAND提供了設計各種存儲解決方案的更簡單的技術，而且不存在并行總線固有的擴展問題。HLNAND2接口與高速互連緊密匹配，因此促進了集成PCIe接口的閃存控制器的開發。這大大降低了閃存通道并行化的需要，擺脫了中間橋器件，因而降低了高擴展性及適合多種應用的高性能控制器的成本。

　　HLNAND2有8位、同步、DDR數據總線，但采用了源同步時鐘，因此，運行頻率高達400MHz，能夠提供高達800MB/秒的吞吐率。其他功能還包括：

　　-- 與2代和3代PCIe等高速系統互連匹配的閃存接口速度

　　-- DuplexRW(TM)：DDR800同步讀寫，實際數據吞吐率為1600MB/秒，很好地適應了PCIe的雙工特性

　　-- 通過自動包截斷實現節能

　　-- 命令包內置EDC(錯誤檢測代碼)，提供了分組協議通信的最佳可靠性。

　　HLNAND2完整規格可通過 www.hlnand.com 下載。

　　關于HyperLink(HL)NAND閃存

　　HLNAND閃存是一種高性能解決方案，結合了MOSAID自己的HyperLink內存技術與行業標準的NAND閃存單元技術，提供了業內最先進的功能集，達到超過傳統閃存10倍的持續I/O帶寬。欲了解更多信息，請訪問 www.hlnand.com 。

　　關于MOSAID

　　MOSAID Technologies Inc.是全球領先的知識產權公司之一。MOSAID專業從事半導體和電信系統領域專利知識產權的許可以及半導體存儲技術的開發。MOSAID的被許可方中有許多為全球最大技術公司。MOSAID成立于1975年，總部位于安大略省渥太華。更多信息，請訪問網站：www.mosaid.com 和www.InvestorChannel.mosaid.com 。

　　要查看本新聞稿的相關圖片，請訪問以下鏈接：http://media3.marketwire.com/docs/HLNAND2_low_resolution_photo.jpg

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　　聯系方式： MOSAID Technologies公司

　　Michael Salter

　　投資者關系與企業傳播總監

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